半导体核辐射探测器因具有能量分辨率高、线性响应范围宽、响应时间快、n/γ分辨率好、体积小、工作电压低等优点在核辐射探测中得到广泛应用。课题组经过近几年的深入研究，并与中广核贝谷科技股份有限公司联合，成功研制了金硅面垒探测器、离子注入Si-PIN探测器、零偏压GaAs探测器和GaN中子探测器。特别是在耐高温和耐辐照方面，在国际上我们具有领先优势。这些探测器已经在喷涂式测氡仪、水中测氡仪及高能射线标定仪上得到应用，制备的夹心6Li硅中子探测器也已经在通道式放射性自动监测系统中得到测试。课题组与浙江泰克松德能源科技有限公司正在合作研制的硅漂移X射线探测器（SDD）的部分制备工艺已通过外协完成。

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